В этом посте:
Будущее компьютерной памяти: 5 революционных технологий
Acer GD245HQ: ЖК-монитор с поддержкой технологии nVidia 3D Vision
Обновление программы АВТОСПУТНИК для владельцев Pocket Navigator MW-350 и PN-430
Четырехкратный рост отгрузок автомобильной телематики к 2016 г
Алюминиевый бокс SilverStone для пары 2,5" накопителей
Будущее компьютерной памяти: 5 революционных технологий |
 10.12.2009 [08:00], Денис Борн Некоторое время назад сложно было поверить, что огромная коллекция музыки может поместиться на одном небольшом устройстве, едва превышающем по размерам ладонь. То же относится к тысячам снимков в высоком разрешении и карманным фотокамерам. Всего за несколько десятилетий в области технологий хранения данных произошли разительные перемены, а появление флеш-памяти без преувеличения можно назвать революцией. Но время не стоит на месте, и следующей вехой в "потребительской" хронологии должны стать чипы, которые будут способны хранить сотни фильмов в HD-качестве либо всю мировую библиотеку книг. Чтобы воплотить эти мечты в реальность, по всему миру в лабораториях совершенствуют текущие и разрабатывают новые технологии, самые удачные из которых обязательно попадут на рынок – прогресс нельзя остановить. "Суперпамять" близка к реализации взгляда на технологии, высказанного физиком Ричардом Фейнманом (Richard Feynman) 50 лет назад. В ходе лекции для Американского физического общества (American Physical Society) он рассуждал, возможно ли будет когда-нибудь записать 24 тома энциклопедии "Британика" на булавочную головку. Физик подсчитал, что каждая крошечная точка каждой печатной буквы должна быть для этого уменьшена до 1000 атомов – квадрата со стороной 9 нм. Сегодня принцип хранения информации в электронных устройствах, конечно, отличается от условных расчётов Фейнмана, но размер единичного элемента хранения известен – около 40 нм в коммерческих устройствах на основе флеш-памяти. Всего несколько месяцев назад начались поставки первого чипа, на который возможно записать 64 Гбит данных. Фейнман вёл речь, вероятно, о терабайтах. Технологии устройств памяти следующего поколения будут использовать новые материалы, обладать временем доступа в единицы наносекунд и хранить информацию как минимум десятки лет без перезаписи. Сложно назвать чёткие сроки, когда же на полках магазинов появится "суперфлешка", но многомиллиардные доходы полупроводниковой индустрии не дают сомневаться, что для этого предпринимаются все возможные усилия, и на звание технологий следующего поколения уже есть претенденты. MRAM MRAM (magnetoresistive random access memory – магниторезистивная память с произвольным доступом) является "долгожителем" семейства технологий, призванных заменить флеш – несколько компаний трудятся над ней ещё с 1990-х годов. Конструкция представляет собой два тонких слоя ферромагнитного материала, каждый разделён на ячейки. Один из слоёв является постоянным магнитом с неизменным направлением намагниченности. Намагничивание другого может изменяться на 180° путём приложения внешнего магнитного поля или напряжения. Взаимная ориентация намагниченности воспринимается как 1 или 0. Такое решение имеет свои сильные и слабые стороны. К первым принадлежит энергонезависимость, возможность быстрого и простого контроля намагниченности и соответственно скорость доступа (порядка нескольких нс), ко вторым – тенденция к изменению состояния соседних ячеек во время перезаписи одного из битов. Данная проблема является большой головной болью для исследователей. По словам физика Джеймса Скотта (James Scott) из Кэмбриджского университета (University of Cambridge), до сих пор это препятствие не устранено. Ёмкость чипов пока ограничена 32 Мбит. Такие компании, как Hitachi и Toshiba, продолжают работать над MRAM, поддерживая веру в её будущее. FeRAM FeRAM (ferroelectric random access memory – сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом) относительно близка к флеш-памяти. В ней также используются электрические явления для контроля за подобной транзистору структурой, но вместо потоков свободных электронов объектом управления выступают электрические заряды в комплексных кристаллах, известных как ферроэлектрики, или сегнетоэлектрики. В этих диэлектриках небольшое внешнее электрическое поле может заставить положительно и отрицательно заряженные ионы изменить свои дипольные моменты и установить стабильную электрическую поляризацию. В зависимости от её направления значение сегнетоэлектрического бита воспринимается как 1 или 0. Небольшое приложенное к кристаллу напряжение изменяет поляризацию и соответственно состояние бита. Процесс происходит очень быстро – менее наносекунды – и требует незначительной расходуемой мощности, а количество циклов записи намного превышает возможности флеш-памяти и достигает значения нескольких миллиардов. Но FeRAM не лишена и "ахиллесовой пяты". "Проблема в том, что FeRAM основана на зарядах", - поясняет физик Райнер Васер (Rainer Waser) из Университета Аахена (RWTH Aachen University) в Германии. Чтобы изменить состояние сегнетоэлектрика с приемлемой скоростью, рядом должны храниться дополнительные заряды, поэтому каждая ячейка такой памяти содержит конденсатор, ограничивающий плотность размещения элементов. На данный момент эксперты не видят возможности для FeRAM обладать такой же ёмкостью чипа, как в микросхемах флеш-памяти. Тем не менее, низкое энергопотребление может пригодиться при решении тех задач, где экономия важнее ёмкости. В феврале 2009 года Toshiba анонсировала прототип 128-Мб чипа FeRAM. PCRAM PCRAM (phase-change random access memory – оперативная память с изменением фазовых состояний) технологии того же ряда, что применяются в перезаписываемых оптических дисках. Информация хранится в атомных структурах материалов, имеющих два возможных фазовых состояния: аморфное, схожее с оконным стеклом с неупорядоченными атомами, и кристаллическое. В последнем случае материал электропроводен, тогда как в аморфном состоянии это изолятор. Подобный материал в PCRAM заключён между двумя электродами, и для переключения между фазами необходим лазерный импульс или электрический ток, чтобы расплавить вещество. Длительное воздействие приводит к формированию кристаллической решётки, а при коротком импульсе материал охлаждается до аморфной фазы. Недостаток – в необходимости передачи энергии для нагрева элементов памяти до нескольких сотен °С, на что уходит значительное количество энергии, хотя с уменьшением устройств на основе PCRAM уровень потребляемой мощности будет снижаться. Зато плотность размещения элементов хранения очень высока: всего несколько атомов нужны для создания ячейки, способной менять состояние с кристаллического на аморфное. Специалисты считают, что реальным значением является 5 нм - почти в 10 раз меньше, чем во флеш-памяти. Более того, время переключения PCRAM может достигать 1 нс. Но с уменьшением этого параметра стабильность состояния материала также снижается, поэтому пока значение скорости переключения в 10-100 раз медленнее теоретического потенциала. Сегодняшняя задача инженеров – достижение оптимального соотношения скорости и стабильности. Samsung недавно представила чип PCRAM ёмкостью 512 Мб. RRAM RRAM (resistive random access memory – резистивная память с произвольным доступом) по масштабам элементов хранения битов сравнима с PCRAM. Только вместо изменения фазового состояния под действием тепла здесь используется электрохимическая реакция. Материалом для резистивной памяти выступает непроводящий оксид, такой как оксид титана. Когда к кристаллу приложено высокое напряжение, удерживающие атомы кислорода связи начинают разрушаться. Кислород оставляет за собой "дырки" и свободные электроны, способные стать носителями зарядов. "Дырки" стремятся сформировать узкие ряды, или электропроводные каналы в кристалле. Обратное напряжение возвращает кислород, снова превращая материал в диэлектрик. Такие переходы создают устойчивые состояния памяти, которые изменяются только под действием высоких значений напряжения определённой полярности. RRAM является быстродействующей технологией с низким энергопотреблением. По словам Стэна Уильямса (Stan Williams) из лаборатории Hewlett-Packard Laboratories в Пало-Альто, Калифорния, переключение состояний происходит в считанные наносекунды, а требуемая энергия измеряется пикоджоулями. Это сотая часть от необходимого флеш-памяти количества. Масштаб битов также впечатляет – переключение может происходить на одном нанометре. Впрочем, и здесь проблема со стабильностью. Если бит с высоким сопротивлением расположен сразу за таковым с низким, тогда электрический ток может "задеть" соседний участок и изменить его состояние. Данное препятствие решают в настоящий момент Hewlett-Packard и другие компании. RRAM примечательна не только благодаря способности хранить информацию. В 2008 году Уильямс с коллегами обнаружил, что устройство на основе резистивной памяти имеет характеристики мемристора – теоретического четвёртого основного элемента электрической цепи после резистора, конденсатора и индуктивности. Мемристор отличается от обычного резистора способностью принимать разные значения сопротивления в зависимости от заряда, который прошёл через него в прошлом. Это делает компонент моделью аналоговой вычислительной единицы человеческого мозга, но с оговоркой: работает она значительно быстрее настоящего синапса и с меньшими затратами энергии. Трековая память (Racetrack memory) Большинство дорог к "суперпамяти" ведут через поиск путей манипулирования атомами и их свойствами в нанометровом масштабе. Однако некоторые учёные уверены, что внимание нужно обратить на конструкцию памяти. Например, трёхмерная архитектура позволит совершить новый прорыв. В трековой памяти биты хранятся в виде крошечных доменов намагниченности, почти как в жёстких дисках. Отличие в том, что эти элементы памяти не являются монолитными блоками, а ведут себя как бусины на магнитном нанопроводнике. Электрический ток перемещает домены , проходящие через считывающие и записывающие головки. Скорость процесса достигает 200 м/с, что эквивалентно времени чтения в десятки наносекунд. Это сравнимо с сегодняшними видами памяти, но преимущество трековой заключается в ёмкости. Плоский проводник микрометрового размера способен хранить данные с не меньшей плотностью, чем флеш-память. Истинный потенциал кроется в изменении конфигурации нанопроводников с двумерной на трёхмерную, когда трековая память сможет хранить в сотни раз больше битов по сравнению с флеш-памятью на той же площади. Однако подобных прототипов ещё не существует. Материалы по теме: - Чип размером с ноготь сможет хранить 20 DVD; - IT-Байки: За миллиард лет до стирания памяти; - IT-Байки: Электроника-2020 – жизнь после смерти кремния. newscientist.com Рубрики: жесткие диски, контроллеры, системы хранения данных, интерфейсы рынок IT интересности из мира HiTech память (RAM/FLASH/etc.), USB/FireWire-контроллеры, смарт-карты и пр. нанотехнологии на острие науки Теги: память, MRAM, FRAM, PRAM, RRAM |
Acer GD245HQ: ЖК-монитор с поддержкой технологии nVidia 3D Vision |
 Компания Acer представила в России 23,6-дюймовый жидкокристаллический монитор GD245HQ. ЖК-монитор Acer GD245HQ.Экран новинки поддерживает разрешение 1920×1080 точек (Full HD). Уровень динамической контрастности матрицы составляет 80 000:1, время отклика –– 2 мс. Главной особенностью монитора является поддержка технологии nVidia 3D Vision, которая позволяет работать с 3D-контентом при помощи компьютера с совместимым видеоадаптером и специальных очков. Каждое изображение генерируется на компьютере дважды (раз для правого глаза, раз –– для левого), со сдвигом по отношению к первой картинке. С видеокарты информация передается на Acer GD245HQ, частота развертки которого составляет 120 Гц. Таким образом, нечетные кадры воспринимаются левым глазом, а четные –– правым. Каждая линза 3D-очков открывается и закрывается в синхронизации с монитором (с частотой 60 Гц), что и создает эффект трехмерного изображения. Очки, источником питания для которых служат батарейки, работают от специального ИК-передатчика, подключаемого к USB-порту ПК. Acer GD245HQ поступит в продажу в России в феврале 2010 года. Ориентировочная цена монитора –– 14 990 рублей. Подготовлено по материалам Acer. Каждый день слушайте итоговый подкаст Свободного Радио «Компьюлента»! Версия для печати Комментариев пока нет Оставить первый комментарий |
Обновление программы АВТОСПУТНИК для владельцев Pocket Navigator MW-350 и PN-430 |
 Обновление программы АВТОСПУТНИК для владельцев Pocket Navigator MW-350 и PN-430[среда, 9 декабря 2009 г, 12:43] Компания МакЦентр объявляет о выходе обновления навигационной программы АВТОСПУТНИК для владельцев Pocket Navigator моделей MW-350 и PN-430. Обновление Автоспутник В программе оптимизирована работа с памятью устройства и повышена стабильность работы с новой операционной системой Win CE 6.0. Описание обновления АВТОСПУТНИК 3.2.8: Исправления и улучшения в программе: Добавлена функция автоматического определения центра карты при переключении между картами; Добавлена детализация информации о картах при открытии карты; В функцию скриншота добавлена звук срабатывания затвора; Добавлен механизм поддержки индивидуальных иконок POI; Исправлена ошибка добавления закладки в избранное; Исправлена ошибка при работе с классической панелью; Добавлена система обработки ошибок, если карта в каталоге \maps\ повреждена; Карта может считываться не только из каталога \maps\; Скорректирован перевод типов POI на англ.язык; Отключение поддержки устаревших "пробочных" информационных каналов; Исправление ошибки перерисовки экрана при нажатии на кнопку "Скриншот"; Улучшена работа адресного поиска, исправлена частая блокировка клавиатуры; Ускорено отображение POI на больших масштабах; Повышена стабильность работы программы; Добавлена обработка исключений, при чтении свойств карты; Обновление можно скачать на сайте Pocket Navigator в разделе технической поддержки: http://www.pocketnavigator.ru/download. Владельцы устройств Pocket Navigator любых моделей могут приобрести дополнительные карты для программы АВТОСПУТНИК в специлизированной сети магазинов GPS-навигации iStyle, магазине "Компьютер-на-ладони" и в Интернет магазине PalmStore.ru. В магазинах доступны карты: Россия (Мегаполис) Беларусь (Белгеодезия) Украина (NАTEC) Казахстан (Guidejet) Армения (GNS) Прибалтика (Латвия, Литва, Эстония) Польша Источник: МакЦентр Добавил: Ansty |
Четырехкратный рост отгрузок автомобильной телематики к 2016 г |
 09.12.2009 [14:11], Александр Харьковский Глобальный объем отгрузок автомобильных телематических систем к 2016 г. возрастет до 84,4 млн единиц, что будет соответствовать более чем четырехкратному увеличению по сравнению с 19,3 млн устройств, проданных в 2008 г. – прогнозируют аналитики из компании iSuppli. «От автоматической отправки сигналов бедствия в случае аварии до возможности удаленной диагностики неисправностей двигателя – телематика может предоставить чрезвычайные преимущества специалистам по техническому обслуживанию и автопроизводителям во всем мире» – сказала Анна Бьютнер (Anna Buettner), аналитик iSuppli по исследованиям, связанным с автомобилями. «Для водителей телематические системы могут улучшить безопасность, повысить комфорт и расширить коммуникационные возможности. Для OEM-производителей телематика позволит добавить и улучшить существующие функции автомобилей, сократить гарантийные и постпродажные расходы. По этим причинам, как ожидается, и производители автомобилей, и покупатели быстрыми темпами расширят восприятие телематических систем в течение ближайших семи лет». К 2016 году 68,4 млн автомобилей будут поставляться с телематическими системами, установленными OEM-производителями, по сравнению с 14,3 млн в 2008 г. Это означает, что какой-либо разновидностью телематики будет оснащено 84,6% от общего количества продаваемых автомобилей. Ожидается, что объем отгрузок телематических систем для установки в уже эксплуатируемые транспортные средства к 2016 г. возрастет до 16 с небольшим млн единиц, по сравнению с менее чем 5 млн в 2008 г. Автомобильные телематические системы опираются на решения и приложения, предусматривающие передачу информационных данных через беспроводные соединения к транспортному средству, или от него. Помимо подачи сигналов бедствия и поддержки удаленной диагностики, функции телематики простираются от беспроводной интеграции с устройствами сторонних производителей до приема уточняющих сигналов навигации, реализации функций охранной сигнализации и удаленного контроля версий прошивки блоков электронного управления. Материалы по теме: - Автомобиль прислал письмо, просил поменять топливный насос...; - Европейские автовладельцы предпочитают недорогие GPS-решения. techon.nikkeibp.co.jp Рубрики: компьютерные технологии в автомобилях Теги: телематические, системы, автомобили, прогнозы, аналитика, исследования, рынка, iSuppli |
Алюминиевый бокс SilverStone для пары 2,5" накопителей |
 09.12.2009 [16:43], Руслан Цап В ассортименте продуктов, выпускаемых компанией SilverStone Technology, совсем недавно появилась модель под индексом DS221, которая представляет собой алюминиевое вместилище для двух 2,5-дюймовых винчестеров либо твердотельных дисков, снабжённых интерфейсом SATA II. Данный корпус весом 370 г обладает габаритами 168 x120 x 28,3 мм и предлагается в строгом чёрном исполнении. В изделии реализована поддержка функций RAID 0/1 и JBOD, а также совместимость с операционными системами Windows 2000/XP/Vista/7 и Mac OS 9.x (или выше). Максимальный суммарный объём двух накопителей может достигать 1 Тб. Для подключения к компьютеру предусмотрены интерфейсы eSATA и USB 2.0. Массовые продажи новинки должны начаться на следующей неделе, однако уже сейчас можно оформить предварительный заказ по цене 66 евро. Материалы по теме: - Трио новинок ICY BOX от RaidSonic под USB 3.0; - Vantec подготовила несколько новинок с USB 3.0; - Enermax NAPPA – алюминиевый бокс в коже для HDD. SilverStone Technology Рубрики: системные блоки, корпуса, корпусные панели, аксессуары жесткие диски, контроллеры, системы хранения данных, интерфейсы память (RAM/FLASH/etc.), USB/FireWire-контроллеры, смарт-карты и пр. Теги: корпус, винчестер, SSD, жёсткий, диск, накопитель, SilverStone, DS221 |
Комментариев нет:
Отправить комментарий